MMUN2232LT1G (On Semiconductor)

MMUN2232LT1G, On Semiconductor
Наименование MMUN2232LT1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 219457
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

Transistor

Transistor TypeSmall Signal Digital (BRT)
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo50V
Continuous Collector Current, Ic0.1A
Base Input Resistor, R14700ohm
Base-Emitter Resistor, R24700ohm

BCR112E6327 (INFIN)
Доступно 988648 шт. (под заказ)

DDTC143ECA-7-F (DIODES)
Доступно 324324 шт. (под заказ)

BCR112 (INFIN)
Доступно 20374 шт. (под заказ)

В НАЛИЧИИ 37986шт.
0,83 от 4300 шт. 0,71 от 9000 шт. 0,65
Расчет доставки...