IRFR3910 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR3910
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 21934
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

MOSFET, N D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont15A
Resistance, Rds On0.11ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse60A
Depth, External10.5mm
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDIRFR3910
Power Dissipation52W
Power, Pd52W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V
Width, External6.8mm

IRFR3910TRLPBF (INFIN)
Доступно 1365 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic…

IRFR3910TRPBF (INFIN)
Доступно 1365 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic…

Сравнение позиций

  • ()