IRFBA1405PPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFBA1405PPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 219123
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 55V, 174A, SUPER 220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont174A
Resistance, Rds On0.005ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSuper-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse680A
Power Dissipation330W
Power, Pd330W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V5ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.45°C/W
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFBA1405PPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IPB081N06L3GATMA1 (INFIN)
Доступно 1671 шт. (под заказ)

40V-75V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

IPB054N08N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 8994 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supp…

В НАЛИЧИИ 487шт.
102,00 от 34 шт. 87,00 от 73 шт. 80,00
Расчет доставки...