IRLL024NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLL024NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 219053
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Технология
Channel Mode
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж

MOSFET, N, 55V, 4.4A, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont3.1A
Resistance, Rds On0.065ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse12A
Marking, SMDLL024N
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A120°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max2V

IRLL3303PBF (INFIN)
от 35,80 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 30V, 4.6A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:4.6A; Resistance, Rds On:0.031ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOT-223; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:37A; Depth, External:7.3mm; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:LL3303; Power Dissipation:2.1W; Power, Pd:2.1W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:60°C/W; Transistors, No.…

IRLL024NTRPBF (INFIN)
от 19,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:4.4A; On Resistance, Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Package/Case:223-SOT; Power Dissipation, Pd:2.1W

В НАЛИЧИИ 2743шт.
22,80 от 160 шт. 19,50 от 320 шт. 17,90
Расчет доставки...