IRLR014NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLR014NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 218971
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)

MOSFET, N, 55V, 10A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont10A
Resistance, Rds On0.14ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse40A
Power Dissipation28W
Power, Pd28W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.14ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A5.3°C/W
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Min1V

STD12NF06LT4 (ST)
от 26,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.08...0.1 Ом; @Uзатв(ном): 5...10 В; Uзатв(макс): 16 В