IRFBF20SPBF (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. )

Наименование IRFBF20SPBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 218898
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Технология

MOSFET, N, 900V, 1.7A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ900V
Current, Id Cont1.7A
Resistance, Rds On8ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ490pF
Case Style, AlternateD2-PAK
Charge, Gate N-channel38nC
Current, Iar1.7A
Current, Idm Pulse6.8A
Current, Idss Max100чA
Depth, External15.49mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear5.4mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas180mJ
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDIRFBF20S
Power Dissipation54W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.1W
Power, Pd54W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V8ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A3.1°C/W
Time, Fall32ns
Time, Rise21ns
Time, trr Typ350ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds900V
Voltage, Vds Max900V
Voltage, Vgs Rds N Channel10V

Производитель: VISH/IR
Даташит для IRFBF20SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
IRFBF20STRLPBF (VISH/IR)
Доступно 15501 шт. (под заказ)

MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp

В НАЛИЧИИ 957шт.
26,90 от 66 шт. 26,90 от 150 шт. 26,90
Расчет доставки...