IRF3205SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF3205SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 218885
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N, 55V, 110A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont98A
Resistance, Rds On0.008ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse390A
Depth, External15.49mm
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDIRF3205S
Power Dissipation150W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.7W
Power, Pd150W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External10.54mm

IRF3205STRRPBF (INFIN)
Доступно 800 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRF3205STRLPBF (INFIN)
Доступно 60753 шт. (под заказ)

40V-75V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic…

В НАЛИЧИИ 1951шт.
55,00 от 62 шт. 47,30 от 134 шт. 43,40
Расчет доставки...