IRGIB15B60KD1P (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRGIB15B60KD1P
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 218136
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Корпус
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Монтаж
Технология

IGBT, TO-220FP

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max19A
Voltage, Vce Sat Max2.2V
Power Dissipation52W
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed38A
Power, Pd52W
Time, Rise35ns
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRGIB15B60KD1P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)