IRG4PH50KDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRG4PH50KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRG4PH50KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 217911
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Конфигурация
Монтаж
Технология
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.

IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max2.77V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed90A
Device MarkingIRG4PH50KDPBF
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall300ns
Time, Fall Max300ns
Time, Rise100ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V

Производитель: INFIN
IRG4PH50KD.pdf
В НАЛИЧИИ 1266шт.
495,00 от 8 шт. 424,00 от 16 шт. 389,00
Расчет доставки...