IRF520N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF520N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 21728
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)

Полевой транзистор. 100V. 9.7A.

IRF520NPBF (INFIN)
от 27,90 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

STP14NF12 (ST)
Доступно 5724 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 120 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0.18 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 15.5 нКл

IRFB4212PBF (INFIN)
Доступно 905 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.0725ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4212; Charge, Gate N-channel:15nC; Current, Idm Pulse:57A; Pins, No.…