MJD112T4 (STMicroelectronics)

Наименование MJD112T4
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 217201
Корпус
Макс. рабочая частота
Частота перехода ft
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 3 В
IК(макс) 2 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 25 МГц

MJD112G (ONS)
от 18,80 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:2V;…

В НАЛИЧИИ 9964шт.
14,20 от 238 шт. 12,20 от 518 шт. 11,20
Расчет доставки...