IXFH30N50 (Ixys Corporation )

IXFH30N50, Ixys Corporation IXFH30N50, Ixys Corporation
Наименование IXFH30N50
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 216457
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont30A
Resistance, Rds On0.16ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Charge, Gate N-channel227nC
Current, Idm Pulse120A
Energy, Avalanche Repetitive Ear45mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas1.5J
Pins, No. of3
Power Dissipation360W
Power, Pd360W
Resistance, Rds on Max0.16ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, trr Typ250ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V
Weight6g
dv/dt5V/ns

STW23NM50N (ST)
Доступно 358 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

STW28NM50N (ST)
Доступно 672 шт. (под заказ)

TO247/N-channel 500 V, 0.12 Ohm, 21 A