IRF3315SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF3315SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 216055
OBS Снято с производства
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 150V, 21A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont21A
Resistance, Rds On0.082ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse84A
Marking, SMDIRF3315S
Power Dissipation84W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd84W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.6°C/W
Voltage, Vds150V
Voltage, Vds Max150V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF3315STRLPBF (INFIN)
Доступно 4987 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…