MJD3055T4 (STMicroelectronics)

Наименование MJD3055T4
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 215606
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Напряжение насыщения КЭ
Ток коллектора Ic
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 60 В
IК(макс) 10 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 2 МГц
h21 5...100

MJD3055T4G (ONS)
Доступно 8477 шт. (под заказ)

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:60V; Continuous Collector Current, Ic:10A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.1V; Power Dissipation, Pd:20W; DC Current Gain Min (hfe):20