MJD112G (On Semiconductor)

Наименование MJD112G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 214910
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Частота перехода ft
Максимальная рабочая температура

TRANSISTOR, NPN, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation1.75W
Hfe, Min200
ft, Typ25MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Complementary DeviceMJD117G
Current, Ic Max2A
Current, Ic hFE2A
Current, Icm Peak4A
Power, Ptot20W
Voltage, Vcbo100V

MJD112T4 (ST)
от 14,20 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

MJD112T4G (ONS)
Доступно 389447 шт. (под заказ)

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

MJD112RLG (ONS)
Доступно 41916 шт. (под заказ)

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

В НАЛИЧИИ 1494шт.
18,80 от 150 шт. 16,10 от 375 шт. 14,80
Расчет доставки...