IRF7853PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF7853PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF7853PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214840
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id

MOSFET, N, 100V, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont8.3A
Resistance, Rds On18ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.9V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Id Cont @ 25°C8.3A
Current, Id Cont @ 70°C6.6
Current, Idm Pulse66A
Power, Pd2.5W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Rth50

Application Note Detailed MOSFET Behavioral Analysis
IRF7853TRPBF (INFIN)
Доступно 45140 шт. (под заказ)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

IRF7495PBF (INFIN)
от 46,70 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:7.3A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:58A; Pin Configuration:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Power, Pd:2.5W; Time, Fall:36ns; Time, Rise:13ns; Transistors, No.…

В НАЛИЧИИ 2771шт.
60,50 от 59 шт. 51,50 от 128 шт. 47,50
Расчет доставки...