IRFZ44EPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFZ44EPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214416
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, 60V, 48A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:48A; Resistance, Rds On:0.023ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:192A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:110W; Power, Pd:110W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.4°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFZ44EPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
STP55NF06 (ST)
Доступно 21045 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 50 А; Rси(вкл): 22 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 45 нКл

В НАЛИЧИИ 391шт.
34,30 от 100 шт. 29,40 от 200 шт. 27,00
Расчет доставки...