IRFR24N15DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR24N15DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214289
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Channel Mode
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов

MOSFET, N, 150V, 24A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On0.095ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse96A
Power Dissipation140W
Power, Pd140W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V95ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.1°C/W
Voltage, Vds Max150V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFR24N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFR24N15DTRPBF (INFIN)
Доступно 11960 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Characterized Avalanche Voltage a…

В НАЛИЧИИ 1230шт.
41,20 от 82 шт. 35,30 от 179 шт. 32,40
Расчет доставки...