IRFR3707PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR3707PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214273
OBS Снято с производства
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 30V, 61A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont61A
Resistance, Rds On0.013ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse244A
Power Dissipation87W
Power, Pd87W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V13mohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.73°C/W
Voltage, Vds Max30V

Производитель: INFIN
irfr3707.pdf
IPI086N10N3GXKSA1 (INFIN)
Доступно 3874 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

IPD640N06LGBTMA1 (INFIN)
Доступно 2270 шт. (под заказ)

MOSFET, N-CH, 60V, 18A, TO-252