IRFU120NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFU120NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU120NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU120NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFU120NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214239
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge

MOSFET, N, 100V, 9.1A, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont9.4A
Resistance, Rds On0.21ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Idm Pulse38A
Marking, SMDIRFU120N
Power Dissipation48W
Power, Pd48W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A3.2°C/W
Time, Fall23ns
Time, Rise23ns
Time, t Off32ns
Time, t On4.5ns
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFU120NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
В НАЛИЧИИ 1728шт.
26,00 от 136 шт. 22,30 от 296 шт. 20,50
Расчет доставки...