IRF5305PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF5305PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214224
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th

MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:31A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:110A; Device Marking:IRF5305; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:110W; Power, Pd:110W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.4°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds:55V; Voltage, Vds Max:55V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF5305 (INFIN)
Доступно 27 шт. (под заказ)

MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:31A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:110A; Device Marking:IRF5305; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 9706шт.
37,00 от 96 шт. 31,80 от 208 шт. 29,20
Расчет доставки...