IRG4PH30KDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRG4PH30KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH30KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRG4PH30KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214042
Серия
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная рабочая температура
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Конфигурация
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Монтаж
Технология

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max20A
Voltage, Vce Sat Max3.1V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed40A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Typ97ns
Time, Rise79ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V

Производитель: INFIN
IRG4PH30KD.pdf
IRG4PH40KDPBF (INFIN)
от 231,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:30A; Voltage, Vce Sat Max:3.4V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:60A; Pins, No.…

IRG4PH50KDPBF (INFIN)
от 500,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:2.77V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:90A; Device Marking:IRG4PH50KDPBF; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 46шт.
228,00 от 16 шт. 195,00 от 34 шт. 179,00
Расчет доставки...