IRFB42N20DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB42N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214012
Channel Mode
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 200V, 42.6A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont42.6A
Resistance, Rds On0.055ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse180A
Power Dissipation300W
Power, Pd300W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V55ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.5°C/W
Voltage, Vds Max200V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB42N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFB4227PBF (INFIN)
от 109,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:65A; Resistance, Rds On:26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFB4127PBF (INFIN)
от 156,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N-CH, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:76A; Resistance, Rds On:17mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…