IRF1104PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF1104PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1104PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF1104PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 214002
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Монтаж
Технология

MOSFET, N, 40V, 100A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont100A
Resistance, Rds On0.009ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse400A
Pins, No. of3
Power Dissipation170W
Power, Pd170W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.009ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.9°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max40V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF4104PBF (INFIN)
Доступно 5783 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 40V, 120A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:40V; Current, Id Cont:120A; Resistance, Rds On:0.055ohm;…