IRG4PH40UDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRG4PH40UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH40UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRG4PH40UDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 213751
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Монтаж
Кол-во выводов
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Технология
Рассеиваемая мощность Pd
Максимальная рабочая температура
Напряжение коллектор-эмиттер макс.

IGBT, 1200V, 30A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max30A
Voltage, Vce Sat Max3.5V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max150ns
Time, Rise59ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V

Производитель: INFIN
Даташит для IRG4PH40UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRG4PH40UD-EPBF (INFIN)
Доступно 478 шт. (под заказ)

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

IRG4PH40UD2-EP (INFIN)
Доступно 991 шт. (под заказ)

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

В НАЛИЧИИ 499шт.
289,00 от 13 шт. 248,00 от 27 шт. 228,00
Расчет доставки...