IRLI2910PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLI2910PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212844
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET, N, 100V, 27A, TO-220FP

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont31A
Resistance, Rds On0.026ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Iar29A
Current, Idm Pulse190A
Energy, Avalanche Repetitive Ear6.3mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas520mJ
Pins, No. of3
Power Dissipation63W
Power, Pd63W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A2.4°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min1V
dv/dt5.0V/ns

Производитель: INFIN
Даташит для IRLI2910PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFI4510GPBF (INFIN)
от 70,50 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

В НАЛИЧИИ 478шт.
71,00 от 48 шт. 61,00 от 104 шт. 56,00
Расчет доставки...