IRF7453PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF7453PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7453PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7453PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF7453PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212836
OBS Снято с производства
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET, N, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont2.2A
Resistance, Rds On0.23ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse17A
Pin Configuration(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
Power, Pd2.5W
Time, Fall20ns
Time, Rise2.5ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs Max30V

IRF7492PBF (INFIN)
Доступно 218 шт. (под заказ)

MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.079ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.5V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:30A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F7492; Pins, No.…