MMBT5551LT1 (On Semiconductor)

Наименование MMBT5551LT1
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 21270
OBS Снято с производства
Коэффициент усиления по току hFE
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Напряжение Vce макс,
Тип проводимости и конфигурация
Корпус

Bipolar Transistor Package/Case:SOT-23 (

MMBT5551LT1G (ONS)
от 1,30 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:160V; Current, Ic Continuous a Max:50mA; Voltage, Vce Sat Max:0.15V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:80; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD