IRGP35B60PDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRGP35B60PDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212649
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Конфигурация
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Монтаж
Технология
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов

IGBT, 600V, 40A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max40A
Voltage, Vce Sat Max2.15V
Power Dissipation308W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Power, Pd308W
Time, Rise6ns
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRGP35B60PDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
В НАЛИЧИИ 135шт.
284,00 от 13 шт. 243,00 от 28 шт. 224,00
Расчет доставки...