IRFB31N20DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB31N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB31N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB31N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212644
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont31A
Resistance, Rds On0.082ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse124A
Pins, No. of3
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB31N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRFB31N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFB4020PBF (INFIN)
от 65,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

IRFB4620PBF (INFIN)
от 87,50 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant

В НАЛИЧИИ 2283шт.
80,50 от 50 шт. 69,00 от 100 шт. 63,50
Расчет доставки...