IRF5802TRPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF5802TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5802TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF5802TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212366
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Количество транзисторов
Монтаж
Технология

MOSFET, N, 150V, TSOP-6

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont0.9A
Resistance, Rds On1.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTSOP
Termination TypeSMD
Application CodeSMPS
Current, Id Cont @ 25°C0.9A
Current, Id Cont @ 70°C0.7
Current, Idm Pulse7A
Power, Pd2W
Thermal Resistance, Junction to Case A62.5°C/W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds150V
Voltage, Vds Max150V

IRF5802TR (INFIN)
Доступно 396 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. 150V. 0.9A.