IRF630SPBF (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. )

IRF630SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRF630SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRF630SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Наименование IRF630SPBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 212354
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 200V, 9A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9A
Resistance, Rds On0.3ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse36A
Power Dissipation74W
Power, Pd74W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.3ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.7°C/W
Voltage, Vds200V
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: VISH/IR
Даташит для IRF630SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Производитель: VISH/IR
Даташит для IRF630SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
IRF630NSPBF (INFIN)
Доступно 5976 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 200V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:575pF; Case Style, Alternate:D2-PAK; Charge, Gate N-channel:35nC; Current, Iar:9.3A; Current, Idm Pulse:37A; Current, Idss Max:25чA; Depth, External:15.49mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:8.2mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:94mJ; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:IRF630NS; Power Dissipation:82W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

IRFS4227PBF (INFIN)
от 134,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:240V; Current, Id Cont:62A; Resistance, Rds On:26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…