IRFP4710PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFP4710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFP4710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFP4710PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212269
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 100V, 72A, TO-247AC

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont72A
Resistance, Rds On0.014ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse300A
Power Dissipation190W
Power, Pd190W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V14ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.81°C/W
Voltage, Vds Max100V

IRFP4310ZPBF (INFIN)
от 146,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, TO-247AC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:120A; Resistance, Rds On:4.8mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFP4410ZPBF (INFIN)
от 111,00 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant