IRFB17N20DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB17N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB17N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB17N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 212019
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, 200V, 16A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On0.17ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse64A
Power Dissipation140W
Power, Pd140W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V170ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.1°C/W
Voltage, Vds Max200V

IRFB4620PBF (INFIN)
от 87,50 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant

IRFB4020PBF (INFIN)
от 65,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…