IPW65R045C7FKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IPW65R045C7FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IPW65R045C7FKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2115959
RND Рекомендуется для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация
Квалификация
Channel Mode

Технические характеристики:

  • Manufacturer: Infineon
  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-247-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 46 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: +/- 20 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
  • Qg - Gate Charge: 93 nC
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Channel Mode: Enhancement
  • Brand: Infineon Technologies
  • Configuration: Single
  • Fall Time: 7 ns
  • Forward Transconductance - Min: -
  • Height: 21.1 mm
  • Length: 16.13 mm
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 227 W
  • Rise Time: 14 ns
  • Series: XPW65R045
  • Factory Pack Quantity: 240
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Typical Turn-Off Delay Time: 82 ns
  • Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
  • Width: 5.21 mm
  • Part # Aliases: IPW65R045C7 SP000929412
  • Unit Weight: 38 g

IPW65R045C7 (INFIN)
Доступно 2787 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 wutvsarfdfuvdzvdaxesfddazftw

COOLMOS™ – высоковольтные MOSFET по рецепту INFINEON
20/09/2016 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Обширное семейство высоковольтных MOSFET CoolMOS™ производства компании Infineon – один из базовых стандартов отрасли, ее лидер по показателям КПД, а представитель семейства, линейка CoolMOS™ C7, имеет лучший в мире в своем классе показатель RDS(on).

Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе – реальность!
27/07/2017 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Упаковав в новой линейке C7 Gold передовую технологию производства MOSFET-транзисторов Superjunction в SMD-корпус нового поколения TOLL с выступающими по одной стороне выводами, компания Infineon задает новые стандарты производства высоковольтных MOSFET для современных силовых приложений, в которых необходимы ключи с жесткой коммутацией.

В НАЛИЧИИ 11шт.
844,00 от 5 шт. 724,00 от 10 шт. 664,00
Расчет доставки...