IPB083N10N3GATMA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IPB083N10N3GATMA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2114891
RND Рекомендуется для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Вgs th
Qg - Gate Charge
Channel Mode
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263-3
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds100V
On Resistance Rds(on)0.0072ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs10V
Threshold Voltage Vgs2.7V
Power Dissipation Pd125W
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
IPB083N10N3G (INFIN)
Доступно 600 шт. (под заказ)

Сравнение позиций

  • ()