IKW40N120T2FKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IKW40N120T2FKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2114689
RND Рекомендуется для новых разработок
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия
Технология
Монтаж
Конфигурация
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Минимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

IKW40N120T2FKSA1 - high speed devices are used to reduce the size of the active components (25 kHz-70 kHz). High Speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses. Furthermore, up to 15% efficiency improvement can be achieved by implementing this technology in your design. 

  • Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
  • Low switching losses for high efficiency
  • Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
  • Fast switching behavior with low EMI emissions
  • Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
  • Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
  • Short circuit capability
  • Offering T j(max) of 175°C
  • Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom: PG-TO247-3 

 

IKW40N120T2FKSA1

INFINEON – новый лидер рынка IGBT
05/10/2016 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

После присоединения компании International Rectifier к компании Infineon инновационные серии кремниевых IGBT TRENCHSTOP™5 и TRENCHSTOP™ Performance от Infineon были дополнены IGBT поколения Gen 6.2 от IR. Компания Infineon при этом заняла лидирующие позиции на мировом рынке IGBT как по объему выпуска, так и по технологическим решениям.

Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное решение – выбор оптимального сопротивления в цепи затвора силового транзистора. К сожалению, в процессе работы изменить сопротивление нельзя. Простой способ решения, предлагаемый Infineon – параллельное использование двух традиционных драйверов.

В НАЛИЧИИ 428шт.
429,00 от 2 шт. 420,00 от 10 шт. 388,00 от 20 шт. 375,00 от 42 шт. 357,00
Расчет доставки...
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()