IKW40N120T2FKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )
| Наименование | IKW40N120T2FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN) |
| Артикул | 2114689 |
|
RND Рекомендуется для новых разработок
|
|
| Напряжение насыщения К-Э |
 |
| Ток коллектора макс. при 25°C |
 |
| Корпус |
 |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. |
 |
| Рассеиваемая мощность Pd |
 |
| Кол-во выводов |
 |
| Максимальная рабочая температура |
 |
| Серия |
 |
| Технология |
 |
| Монтаж |
 |
| Конфигурация |
 |
| Напряжение затвор-эмиттер макс. |
 |
| Минимальная рабочая температура |
 |
IKW40N120T2FKSA1 - high speed devices are used to reduce the size of the active components (25 kHz-70 kHz). High Speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses. Furthermore, up to 15% efficiency improvement can be achieved by implementing this technology in your design.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
- Fast switching behavior with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short circuit capability
- Offering T j(max) of 175°C
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom: PG-TO247-3
После присоединения компании International Rectifier к компании Infineon инновационные серии кремниевых IGBT TRENCHSTOP™5 и TRENCHSTOP™ Performance от Infineon были дополнены IGBT поколения Gen 6.2 от IR. Компания Infineon при этом заняла лидирующие позиции на мировом рынке IGBT как по объему выпуска, так и по технологическим решениям.
Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное решение – выбор оптимального сопротивления в цепи затвора силового транзистора. К сожалению, в процессе работы изменить сопротивление нельзя. Простой способ решения, предлагаемый Infineon – параллельное использование двух традиционных драйверов.
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.