IDH06G65C5XKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IDH06G65C5XKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2114254
RND Рекомендуется для новых разработок
Uобр макс
Uпр
Iпр пост
Минимальная рабочая температура
Ток утечки Ir
Монтаж
Тип диода Schottky Silicon Carbide Diodes
Корпус
Ток Ifsm Макс
Максимальная рабочая температура
Кол. диодов в корпусе
Cобр
Semiconductor Technology
Серия
Количество диодов
Iпр
Заряд Qc, нК
Кол-во выводов
Tj
Прямой ток If(AV)

IDH06G65C5XKSA1 - Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2.

Отличительные особенности:

  • Категория продукта: Диоды и выпрямители Шоттки
  • Производитель: Infineon
  • RoHS: Соответствует RoHS
  • Продукт: Schottky Silicon Carbide Diodes
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220-2
  • If - прямой ток: 6 A
  • Vrrm - повторяющееся обратное напряжение: 650 V
  • Vf - прямое напряжение: 1.5 V
  • Ifsm - ударный прямой ток: 54 A
  • Конфигурация: Single
  • Технология: SiC
  • Ir - обратный ток : 0.3 uA
  • Минимальная рабочая температура: - 55 C
  • Максимальная рабочая температура: + 175 C
  • Диапазон рабочих температур: - 55 C to + 175 C
  • Pd - рассеивание мощности: 62 W
  • Коммерческое обозначение: CoolSiC
  • Vr - обратное напряжение: 650 V
  • Вес изделия: 6 g

IDH06G65C5XKSA1

EVAL800W130PFCC7TOBO1 (INFIN)

Демонстрационная плата 800 Вт 130 кГц корректора коэффициента мощности от Infineon.

COOLSIC™: Новая революция в области MOSFET
22/06/2017 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию места на печатной плате. Компания Infineon под лозунгом «A revolution to rely on» представила на выставке PCIM в мае 2016 года самую последнюю линейку CoolSIC™ MOSFET.

Линейка МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением 600 В является преемником серии CoolMOS™ P6 и предназначена для использования в импульсных источниках питания как малой, так и большой мощности. Компания Infineon позиционирует технологию CoolMOS™ P7 как наиболее сбалансированное решение по основным показателям – высокому КПД, устойчивости к стрессовым воздействиям и электростатическому разряду, простоте использования и широкой номенклатуре линейки МОП-транзисторов при умеренной стоимости.