FF1400R17IP4BOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

FF1400R17IP4BOSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование FF1400R17IP4BOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113688
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура

FF1400R17IP4BOSA1

Характеристики:

  • Extended Operation Temperature T(tvj op)
  • High DC Stability
  • High Current Density
  • Low Switching Losses
  • V(vj op) = 150°C
  • Low Vce(sat)
  • Package with CTI > 400
  • High Creepage and Clearance Distances
  • High Power and Thermal Cycling Capability
  • Copper Base Plate
  • UL recognized

FF1400R17IP4BOSA1

Производитель: INFIN
Даташит для FF1400R17IP4BOSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
FF1400R17IP4 (INFIN)
Доступно 2 шт. (под заказ)

IGBT Modules IGBT Module 1400A 1700V

Дальнейшее увеличение удельной рассеиваемой мощности и продление сроков эксплуатации мощных силовых модулей в настоящее время ограничены на уровне топологии полупроводникового кристалла и внутренних соединений. Разработчики из компании Infineon Technologies предлагают решение этой проблемы на базе нового поколения транзисторов IGBT5 с технологией .XT для формирования внутренних соединений в силовом модуле.

В НАЛИЧИИ 2шт.
42820,00
Расчет доставки...