FF1000R17IE4DB2BOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF1000R17IE4DB2BOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113677
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Ток
Количество ключей
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

IGBT-модули пятого поколения производства Infineon – результат одновременно технологического прорыва и тонкого компромисса между параметрами изделия. Значительное увеличение КПД, удельной мощности и срока службы этих транзисторных модулей позволяет применять их в инновационных областях электроэнергетики.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()