TPH3205WS (Transphorm)

TPH3205WS, Transphorm
Наименование TPH3205WS
Производитель Transphorm(TRANSPH)
Артикул 2108137
OBS Снято с производства
Корпус

Характеристики микросхемы TPH3205WS:

  • рабочее напряжение: 600 В;
  • сопротивление в открытом состоянии: 52 мОм;
  • прямой постоянный ток (25 ºС): 36 А;
  • импульсный ток: 150 А;
  • напряжение затвор-исток: ±18 В;
  • входная емкость: 1157 пФ;
  • заряд восстановления диода: 127 нКл;
  • диапазон рабочих температур: -55…150 °C;
  • корпусное исполнение: TO-247 3L.
TPH3205WSB (TRANSPH)
от 1780,00 Склад (1-2 дн)

Каскодный нитрид-галлиевый полевой транзистор TPH3205WSB.

TDPS3500E0E10-KIT (TRANSPH)

Полумостовой инвертор для различных 3,5 кВт приложений, выполненный на базе транзисторов TPH3205WS

Поиск новых материалов для полупроводниковых компонентов – важная задача для современной электроники. Одним из наиболее перспективных материалов для создания силовых транзисторов является нитрид галлия. Компания Transphorm производит высоковольтные 650 В GaN-ключи, выполненные по каскодной схеме. Такая конфигурация позволяет сохранять высокие значения выходной мощности и минимизировать потери на восстановление обратного диода.

Обеспечение стабильной работы параллельно включенных нитрид-галлиевых транзисторов (GaN FET) в мощных мостовых преобразователях с жесткими переключениями представляет собой достаточно сложную задачу, особенно если речь идет о выводных корпусных исполнениях. В данной статье предлагается решение проблемы параллельного включения GaN-транзисторов в мостовых преобразователях с использованием ферритовых фильтров и /или RC-демпферов и обсуждаются особенности драйверов для GaN-транзисторов.