IRFR120NTR (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR120NTR
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 210754
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET: N, 100 В, Q1: N, 210mΩ / 10V, 9.1 А

IRFR120NTRLPBF (INFIN)
Доступно 22576 шт. (под заказ)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.4A; On Resistance, Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

IRFR120NTRPBF (INFIN)
от 21,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.4A; On Resistance, Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK