IRFB61N15DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB61N15DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 210753
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Количество транзисторов
Корпус
Минимальная рабочая температура
Монтаж
Технология
Максимальная рабочая температура
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Operating Temperature Range
Operating Temperature Min
Channel Mode
Сравнить В избранное

MOSFET, N, 150V, 60A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont60A
Resistance, Rds On0.032ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse250A
Power Dissipation330W
Power, Pd330W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V32ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.45°C/W
Voltage, Vds Max150V

IRFB61N15D (INFIN)
Доступно 47 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. 150V. 60A.

IRFB4321PBF (INFIN)
от 164,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 150V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:83A; Resistance, Rds On:0.015ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4321; Charge, Gate N-channel:71nC; Current, Idm Pulse:330A; Pins, No.…

Сравнение позиций

  • ()