IRF6665TR1PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF6665TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF6665TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209994
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET, N, DIRECTFET, 100V, SH

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont4.2A
Resistance, Rds On53mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSH
Termination TypeSMD
Base Number6665
Current, Idm Pulse34A
Marking, SMD2.2
Power Dissipation2.2mW
Voltage, Vds100V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF6665TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRF6665TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF6665TRPBF (INFIN)
Доступно 10590 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET,