IRLML6402TRPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRLML6402TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLML6402TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRLML6402TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209983
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, P REEL 3K

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont3.7A
Resistance, Rds On0.065ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.55V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ633pF
Charge, Gate P Channel12nC
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C11nC
Current, Idm Pulse22A
Current, Idss Max1.0чA
Depth, External2.5mm
Energy, Avalanche Single Pulse Eas11mJ
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD1E
Pins, No. of3
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Quantity, Reel3000
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, Fall381s
Time, Rise48ns
Time, trr Typ29ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max-0.95V
Voltage, Vgs th Min-0.4V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm

SI2301BDS-T1-E3 (VISHAY)
от 11,90 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:-2.4A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.95V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD

IRLML6402TR (INFIN)
Доступно 2332 шт. (под заказ)

MOSFET Transistor Package/Case:Micro-3;

PMV65XP.215 (NEX-NXP)
от 5,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P-CH, -20V,-4.3A, SOT-23

В НАЛИЧИИ 439375шт.
6,40 от 560 шт. 5,50 от 1210 шт. 5,10
Расчет доставки...