IRF1310NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF1310NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1310NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF1310NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209649
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,

MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:41A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:160A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:170W; Power, Pd:170W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V

IRF3710ZPBF (INFIN)
от 49,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:2900pF; Current, Idm Pulse:240A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:170mJ; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 2680шт.
33,60 от 68 шт. 33,60 от 147 шт. 33,60
Расчет доставки...