IRGB20B60PD1PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGB20B60PD1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209517
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Конфигурация
Напряжение насыщения К-Э
Минимальная рабочая температура
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Монтаж
Технология
Максимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.

IGBT, 600V, 40A, TO-220AB

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max40A
Voltage, Vce Sat Max2.35V
Power Dissipation215W
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed80A
Power, Pd215W
Time, Rise5ns
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRGB20B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRGB20B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRGB4062DPBF (INFIN)
Доступно 1062 шт. (под заказ)

IGBT, COPAK, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:48A; Voltage, Vce Sat Max:1.65V;…

IRGB4061DPBF (INFIN)
от 167,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 600V, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:36A; Voltage, Vce Sat Max:1.65V; Power Dissipation:206W;…

В НАЛИЧИИ 239шт.
140,00 от 25 шт. 120,00 от 53 шт. 110,00
Расчет доставки...