IRF7809AVPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF7809AVPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209502
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Qg - Gate Charge
Конфигурация Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode

MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:14.5A; Resistance, Rds On:0.0085ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:100A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F7809; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Width, External:4.05mm

IRF7809AV (INFIN)
Доступно 34 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. 30V. 13.3A.

IRF7809AVTRPBF (INFIN)
Доступно 35326 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

В НАЛИЧИИ 1968шт.
46,00 от 74 шт. 39,40 от 190 шт. 36,20
Расчет доставки...