IRL3713PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL3713PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 209409
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Конфигурация
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont200A
Resistance, Rds On0.003ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse1040A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.003ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2.5V

Производитель: INFIN
Даташит для IRL3713PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRL3713STRRPBF (INFIN)
Доступно 294 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Avalanche Rated Logic Lev…

IRL3713STRLPBF (INFIN)
Доступно 29467 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Avalanche Rated

В НАЛИЧИИ 1324шт.
109,00 от 32 шт. 92,50 от 68 шт. 85,00
Расчет доставки...