200X02R0 (XSYSTOR INC.)

200X02R0, XSYSTOR INC.
Наименование 200X02R0
Производитель XSYSTOR INC.(XSYSTOR)
Артикул 2092266
положительное напряжение питания: +28…+80 В;
отрицательное напряжение питания (опционально): -6…0 В;
сигнал управлений от микроконтроллера или генератора: -0,3…+4,0 В;
диапазон напряжений затвора GaN-транзистора: -6…0 В;
задержка/ время нарастания сигнала управления ON GaN - транзистора: 160/60 нс;
задержка/ время спада сигнала управления OFF GaN - транзистора: 160/60 нс;
пороговое напряжение затвора GaN-транзистора в неактивном состоянии: -2,0 В;
выходной ток управления затвором внешнего кремниевого ключа: 300 мА;
задержка/ время спада сигнала управления ON внешнего кремниевого ключа: 120/120 нс;
задержка/ время нарастания сигнала управления OFF внешнего кремниевого ключа: 80/80 нс;
диапазон рабочих температур: -40…+85°C.

Технологии нитрид-галлиевых транзисторов уже давно перешли из разряда теоретических и перспективных в ранг реальных. Многие разработчики с радостью берутся использовать GaN в своих устройствах, но испуганно отказываются от этой затеи, как только узнают, что работа с ними отличается от работы с привычными кремниевыми транзисторами. Компания Xsystor предлагает контроллеры, которые позволяют управлять GaN-транзисторами с помощью обычной ТТЛ-логики, например, напрямую от микроконтроллера!